晶片法案過關 專家:有助臺廠減輕在美成本壓力

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晶片法案過關 專家:有助臺廠減輕在美成本壓力

路透社報導,衆院今天以243票對187票通過該法案,把法案送進白宮予總統拜登(Joe Biden)簽署。此法將爲美國半導體生產挹注520億美元的政府補貼,併爲投資晶片廠提供估計價值達240億美元的稅收減免。

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法案也將批准在10年間用大約2000億美元來加強科學研究,以提升對中國的競爭力。國會仍需另外通過撥款法案來對相關投資挹注資金。

臺經院產經資料庫研究員暨總監劉佩真說,美國晶片法案應可減輕臺廠在美國投資的成本壓力。不過補貼金額的分配等相關細節仍待進一步觀察。

劉佩真表示,以全球佈局角度看,臺積電在美國是比較象徵性的投資,亞利桑那州5奈米廠規劃月產能僅2萬片,仍以臺灣爲生產重心,臺灣整體產能的性價比還是比較高。

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針對法案添加附加條款,限制接受補貼的業者未來10年不得到中國建立新廠或先進製程產能,劉佩真說,這主要是希望廠商選邊站,慎防中國半導體供應鏈崛起,鞏固美國在全球半導體的領導地位。

劉佩真認爲,韓國業者會受比較大的影響,特別是三星(Samsung)。三星自2012年起到中國投資總金額達258億美元,位於西安的儲存型快閃記憶體(NAND Flash)廠,佔整個三星NAND Flash總產能的42.3%。

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劉佩真表示,三星未來若無法持續擴充西安廠產能或導入更先進的製程,對NAND Flash事業勢必會造成一定程度的影響。日本鎧俠(Kioxia)及美國威騰(WD)受惠機會較大,此外,中國長江儲存未來也會極力擴充NAND Flash產能,三星未來NAND Flash事業變化值得關注。

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至於臺廠,劉佩真說,目前宣佈到美國投資的有臺積電(2330)和環球晶(6488)。由於過去幾年兩岸政經情勢比較緊張,臺廠並沒有到中國新建廠房的狀況,只有臺積電去年加碼南京廠28.9億美元,擴增28奈米產能。

劉佩真表示,未來幾年在兩岸關係可能持續緊俏下,臺廠在中國廠房的布建可能會處於比較停滯的狀況。臺廠在中國產能建置,在整體營收或獲利的佔比也都是極低比例,即便美國設下限制,預期短期對臺廠影響不大。

劉佩真說,臺灣半導體廠生產重鎮還是在臺灣,佔比高達9成,即便未來沒有持續到中國繼續擴產,並不會影響臺灣在先進製程或矽晶圓的高度競爭力。

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法案補貼將帶動多家半導體廠積極擴產,引發未來半導體產能可能供過於求的隱憂,劉佩真表示,隨着需求趨緩,半導體產業將從前兩年的供需非常緊俏,逐步趨向於平衡,明、後年新產能陸續開出,有可能出現供過於求情況,不過預期時間不會太久。

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劉佩真說,半導體中長期結構性需求已經浮現,很多新興應用市場如電動車需求量倍增,加上傳統消費、通訊及電腦需求在庫存調整過後,未來伴隨全球經濟回到復甦軌道上,預期半導體的需求可望回升。

劉佩真表示,包括美國在內,各國紛紛大力扶植半導體產業,未來勢必會帶來半導體通膨效應,隨着生產成本變高,晶片價格可能上漲,連帶帶動終端產品售價上升,不是消費者能夠長久忍受。

半導體產業發展無法一直立基於國家安全的論調上,而忽略專業分工產生全球化的效益,劉佩真預期,未來各國政策可能會進行修正,在效率與國家安全之間取得平衡。(編輯:張均懋)1110729

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